收藏本站
  !                    
10
10
150 C
10
25 C
-55 C
1
0
V GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
1
o
o
o
10
0
10
-1
※ Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ℃
※ Notes :
1. V DS = 50V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
10
3.0
2.5
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS = 10V
1
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 2. Transfer Characteristics
10
2.0
V GS = 20V
0
1.5
※ Note : T J = 25 ℃
150 ℃
25 ℃
※ Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
1.0
0
4
8
12
16
20
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 3. On-Resistance Variation vs
Drain Current and Gate Voltage
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature
2500
2000
C iss
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C os s = C ds + C gd
C rs s = C gd
12
10
V DS = 160V
V DS = 400V
V DS = 640V
8
1500
C oss
6
1000
500
C rss
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
※ Note : I D = 8A
10
10
10
0
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
0
0
10
20
Q G , Total Gate Charge [nC]
30
40
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP8N80C / FQPF8N80C / FQPF8N80CYDTU Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
CR4520-50 TRANSDUCER VOLTAGE 50V TRUE RMS
CR4860-250 TRANSDCR VLTGE 0-250VAC AVRG RMS
3022-200-P SENS ACCLRMTR 200G ADHESIVE MT
3022-100-N SENS ACCLRMTR 100G ADHESIVE MT
18620457 LED BAYONET MULTI T3-1/4 28V BLU
CR4860-150 TRANSDCR VLTGE 0-150VAC AVRG RMS
595-2902-007F LED PRISM 2MM SQ INGAN GREEN SMD
18620452 LED BAYONET MULTI T3-1/4 28V YEL
相关代理商/技术参数
FQPF8N80C_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET
FQPF8N80CXDTU 功能描述:MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF8N80CYDTU 功能描述:MOSFET HIGH_VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF8N80CYDTU_09 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:800V N-Channel MOSFET
FQPF8N90C 功能描述:MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF8N90CT 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FQPF8P10 功能描述:MOSFET 100V P-Channel QFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FQPF90N08 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube